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高輝度LEDをはじめ、LD（レーザーダイオード）、HEMTなど窒化物半導体デバイス、SOS（シリコンオンサファイア）に最適な基板を提供出来るよう、高精度方位、極性、ナノレベル平坦性、最適モフォロジー、厚みばらつき、極低汚染に重点をおいて開発しています。
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基板サイズ:２、３、４、６インチ
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面方位とオフセット
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C（0001）±0.1, ±0.05 |
ユーザー指定面方位（a、m、r）オフセット方位
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結晶品質、加工精度
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- 結晶純度：単結晶 C of A (Certificate of Analysis)
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| サンプリング基準：MIL-STD-105Eなみ検査、5/25サンプリング |
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表面分析（社内保管、閲覧可）
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| 表面結晶性：反射高速電子線回析（RHEED） |
| ロッキングカーブ：ピーク形状、ブロード性、ω/2θ算出半値幅 |
| 表面近傍格子歪み、湾曲、転移：ラング法X線トポグラフィ |
| 表面粗さ：原子間力顕微鏡（タッピング・モード1μm、5μm） |
| Ra、P-V値 |
| ステップ、テラス：原子間力顕微鏡 |
| 重金属：TXRF（全反射蛍光X線分析） |
| 炭化物、フッ化物、水酸化物：XPS（X線光電子分光） |
| 光透過率 |
| 化学量論比：XPS（X線光電子分光） |
| パテイキュレイト、ステイン、ウオーターマーク |
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