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高輝度LEDをはじめ、LD(レーザーダイオード)、HEMTなど窒化物半導体デバイス、SOS(シリコンオンサファイア)に最適な基板を提供出来るよう、高精度方位、極性、ナノレベル平坦性、最適モフォロジー、厚みばらつき、極低汚染に重点をおいて開発しています。
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基板サイズ:2、3、4、6インチ
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面方位とオフセット
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C(0001)±0.1, ±0.05 |
ユーザー指定面方位(a、m、r)オフセット方位
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結晶品質、加工精度
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- 結晶純度:単結晶 C of A (Certificate of Analysis)
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| サンプリング基準:MIL-STD-105Eなみ検査、5/25サンプリング |
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表面分析(社内保管、閲覧可)
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| 表面結晶性:反射高速電子線回析(RHEED) |
| ロッキングカーブ:ピーク形状、ブロード性、ω/2θ算出半値幅 |
| 表面近傍格子歪み、湾曲、転移:ラング法X線トポグラフィ |
| 表面粗さ:原子間力顕微鏡(タッピング・モード1μm、5μm) |
| Ra、P-V値 |
| ステップ、テラス:原子間力顕微鏡 |
| 重金属:TXRF(全反射蛍光X線分析) |
| 炭化物、フッ化物、水酸化物:XPS(X線光電子分光) |
| 光透過率 |
| 化学量論比:XPS(X線光電子分光) |
| パテイキュレイト、ステイン、ウオーターマーク |
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