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高輝度LED（発光ダイオード）をはじめ、LD（レーザダイオード）、HEMT(高電子移動度トランジスタ）など窒化物半導体デバイス、SoS（シリコンオンサファイア）、さらにサファイアの高温、高耐食性、耐腐食性ガスを生かした極薄厚センサー、結晶成長用支持基板など、様々な用途に適した基板を各種サイズと厚さを取り揃えて御提供致します。また、結晶面方位は従来の極性c面に加えて、m、a、r面に対応致します。

基板サイズ:２、３、４、６-in
　
面方位とオフセット

　　　標準 C（0001）±0.1, ±0.05

　　　ユーザー指定面方位（a、m、r）オフセット方位、精度
結晶品質
  • 　　　結晶純度： C of A　(Certificate of Analysis)
　
サンプリング基準：MIL-STD-105Eなみ検査、5/25サンプリング
  • 　　　外径
  • 　　　厚さ（５点）
  • 　　　OF長
  • 　　　GBIR, SBIR（旧TTV：基板内及びロット間）
  • 　　　そり（吸着フリー）
  • 　　　裏面粗さ
　
表面分析（社内及び外部分析機関）
　　　表面結晶性：反射高速電子線回析（RHEED）
　　　単結晶性：ロッキングカーブ、ピーク形状、ブロード性、ω/2θ算出半値幅
　　　表面近傍格子歪み、湾曲、転移：ラング法X線トポグラフィ
　　　表面粗さ：原子間力顕微鏡（タッピング・モード5μm）Ra、P-V
　　　ステップ、テラス：原子間力顕微鏡
　　　重金属：TXRF（全反射蛍光X線分析）
　　　炭化物、フッ化物、水酸化物：XPS（X線光電子分光）
　　　光透過率（オプション）
　　　化学量論比：XPS（X線光電子分光）
　　　パテイキュレイト、ステイン、ウオーターマーク（オプション）

　
 
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