窒化物半導体 サファイア基板
 

  •  2、3、4、6インチ
  •  c(0001) r(-1012) a(11-20) m(10-10)
  •  高精度オフ方位
  •  清浄低パーテイクル
  •   超平坦基板

Lattice Plane c(0001)
r(-1012)
Lattice Plane a(11-20)
m(10-10)
製造プロセス
 

1.結晶選定-インゴット加工
用途、品質要求に応じて結晶育成法、グレードを選定、-欠陥検査、方位測定を経て、筒、端面加工を行います

2.スライス-ベベル加工
スライスは全工程に影響する重要なプロセスです。厚さ、結晶方位最適な条件で、特殊ワイヤーを装填したマルチ・ワイヤソーで切断します。

3.熱処理(Pat Pending)
インゴット、ウェハーレベル熱処理はバルク特性の維持回復に有効です。表面モフォロジーそり、平坦性、清浄度に影響します

4.ラップ−ポリッシュ
加工変質層発生をミニマイズした高速ラッピングとファイン・ポリッシング相互の最適化を図って、研磨時間と高品位基板の両立を目指しております。

5.洗浄-パッケージング
切断、研磨、熱処理各工程の前後で目的に適った酸、アルカリ、有機溶剤を組み合わせて行われます。


 

ファイバーオプティクス製品
  • ッ素ドープ
       step-index プリフォーム
  • UV、IRレーザー伝送
  • 分光、高電圧伝送

    主に医療、エレクトロニクス向けのスペシャリテイ・プリフォーム及びファイバーです。
    汎用のテレコミニケーション用では困難な用途について、
    コア材、クラッド材、クラッド厚、シングルまたはダブルクラッドの選択、NAなどがカスタマイズ可能です。
 
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