１．結晶選定-インゴット加工 用途、デバイス品質要求に応じて結晶グレードを選定、-マイクロバブル、転位、エッチピット、不純分、ポリタイプなどの欠陥検査、極性、方位測定を経て、外筒、端面加工を行います。
２．スライス-ベベル加工 スライスは全工程に影響する重要なプロセスです。厚さ、結晶方位に最適な条件で、特殊ワイヤーを装填したマルチ・ワイヤソーで切断します。
３．熱処理(PTC Pat Pending) インゴットまたはウェハーレベル熱処理はバルク結晶特性の維持と回復に有効です。加工基板のそり、平坦性を最小とするとともに、電子分光レベルの清浄度を向上させます。
４．ラップ−ポリッシュ 本来トレードオフの関係にある加工変質層を最小とする高速ラッピングとファイン・ポリッシング相互の最適化を図って、研磨時間と高品位基板の両立を目指しております。 ５．洗浄-パッケージング 切断、研磨、熱処理各工程の前後で目的に適った酸、アルカリ、有機溶剤を組み合わせて行われます。
